240812 2 to 1 MUX Layout 설계 - nand & not inv / switch 이용
·
하만 세미콘 아카데미 8기/Full Custom One Chip 설계
* MUX(Multiplexer) : 다수의 입력을 받아 그 중 하나를 선택해 출력하는 논리 회로 1. 2 - 1 MUX : 2개의 입력을 받아 그 중 하나를 출력으로 선택 1) 진리표 S0ABF(out)00X001X11X001X11 (간략화 시) S0F(out)0A1B 2) 논리식 F = S0b·A + S0·B 3) logic circuit 아래 그림과 같이 and / or gate 와 not inverter 사용시 전체 트랜지스터 개수가 20개이지만, nand gate를 사용하는 경우에는 회로 구성에 사용되는 트랜지스터의 개수를 14개로 줄일 수 있다. 4) layout & stick diagram - circuit schematic (with 2nand) - circuit simula..
2 - input NAND Gate 1. pmos / nmos finger type으로 설정 finger 개수 입력 후 finger width 설정하면 알아서 total width는 채워진다. 2. circuit schematic과 stick diagram을 참고하여 layout 설계를 진행한다. 3 - input NAND Gate 1. finger type setting schematic과 stick diagram 참고하여 layout을 진행하면 된다. 최적화 길이 (height = 5.64um)까지 완료 , drc & lvs 문제 x 확인
240807 - 3 input NAND gate / 3 input NOR GATE
·
하만 세미콘 아카데미 8기/Full Custom One Chip 설계
1. 3-input NAND gate 1) schematic 3) test schematic 4) simulationpmos width : 1u~10u pmos width : 2u~3u pmos width : 2.3u~2.4u -> 2.31u 2. 3 INPUT NOR GATE 1) schematic 2) symbol 3) test schematic 4) simulation pmos width = 5u일 때
240807 - 2NOR 실습
·
하만 세미콘 아카데미 8기/Full Custom One Chip 설계
1. schematic 2. symbol 3. test schematic
240807 - 2NAND 실습
·
하만 세미콘 아카데미 8기/Full Custom One Chip 설계
1. 2NAND schematic 2. symbol 3. test schematic 4. simulation - 전압값 설정 (단축키 'Q') - result plotwidth : 1u~10u 범위 내 simulation result width : 2u~3u 범위 내에서의 simulation -> 2.5u~2.6u 범위 내에서 다시 go width : 2.5u~2.6u 2.53um일때 Vin = 500mV와 가장 근접한 결과 얻을 수 있다-> width = 2.53um로 결정
240806 실습 - inverter
·
하만 세미콘 아카데미 8기/Full Custom One Chip 설계
1. gpdk090 library가 있는지 확인 2. TECH file 물려서 library 생성하는 과정 (1번만 하면 됨) 3. schematic 그리기맨 위의 상태줄에서 options - display 선택 후 Grid control 부분에서 spacing = 0.0625 / snap spacing = 0.03125로 설정키보드 'I' 누르면 instance를 추가 가능library에서 mosfet 등을 불러올 수 있다 'p' 누를 시 pin 생성 가능 (line에 vdd, gnd 연결 등 시) 'l' 눌러서 라벨 생성 후 wire에 갖다 붙혀서 pin과 연결 'i' 누른 후 add instance에서 'anloglib'로 라이브러리 선택해 gnd, vdc, vac 등 선택 가능schematic..
240806
·
하만 세미콘 아카데미 8기/Full Custom One Chip 설계
* Fuction 줬을때 cmos schematic 그릴 수 있어야 한다 (중요) * layout 그려낼 수 있어야 한다 (중요) 1. inverter Cross-section 1) 전체 body p-type 도핑 2) nmos 형성 (p-type S/D) 3) pmos 형성 위해 n-type 도핑, n-well 형성 4) ohmic contact 형성 2. Inverter Mask Set 3. layout - 최소 사이즈로 그려내야 함 - 최소화 작업 각 cell 별로 진행 - feature size f = S/D 사이의 거리 - lamda = f/2